等離子體刻蝕技術是一種廣泛應用于半導體制造、光學器件制造等領域的重要工具。它的基本原理是利用化學反應氣體產生化學活性基團和離子，經電場加速的高能離子轟擊被刻蝕的材料，損傷表面，提高被刻蝕材料的表面活性，并加速與活性蝕刻反應基團的相互作用反應速率，從而獲得較高的蝕刻速率。這種化學反應和物理反應的相互促進，使反應離子刻蝕具有干法刻蝕所不具備的優點。

在半導體制造中，等離子刻蝕技術主要應用于制備多層膜、輸送掩模、清除殘留物等領域。此外，等離子體刻蝕技術還廣泛應用于其他半導體制程，如濺射和等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD)。

值得注意的是，理想的刻蝕工藝必須具有以下特點：各向異性刻蝕（即只有垂直刻蝕，沒有橫向鉆蝕），良好的刻蝕選擇性（即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多），以及加工批量大，控制容易，成本低，對環境污染少，適用于工業生產。

刻蝕方法主要為兩大類：

一、濕式刻蝕

——化學刻蝕

——電解刻蝕

二、干式刻蝕

——離子束濺射刻蝕

——反應離子刻蝕

——等離子體刻蝕

金徠等離子刻蝕設備

等離子技術蝕刻的應用范圍：

部件表面被激發的工藝氣體蝕刻。通過精確濺射，表面材料被剝離，轉變成氣相并被排出。 這樣， 材料的表面積增大并更易濕潤。 蝕效應應用于印刷、粘接、涂裝前的預處理以及使材料粗糙化。

PTFE等離子處理前

PTFE等離子處理前

應用